Characterization of Dopamine-Melanin Growth on Silicon Oxide

Autor: Bernsmann, F., Ponche, A., Ringwald, C., Hemmerle, J., Raya, J., Bechinger, B., C. Voegel, J., Schaaf, P., Ball, V.
Přispěvatelé: Institut Charles Sadron (ICS), Université de Strasbourg (UNISTRA)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Réseau nanophotonique et optique, Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Strasbourg (UNISTRA)-Université de Haute-Alsace (UHA) Mulhouse - Colmar (Université de Haute-Alsace (UHA))-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Strasbourg (UNISTRA)-Université de Haute-Alsace (UHA) Mulhouse - Colmar (Université de Haute-Alsace (UHA))-Matériaux et nanosciences d'Alsace (FMNGE), Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Strasbourg (UNISTRA)-Université de Haute-Alsace (UHA) Mulhouse - Colmar (Université de Haute-Alsace (UHA))-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Strasbourg (UNISTRA)-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Wehr, Monique
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2009
Předmět:
Zdroj: Journal of Physical Chemistry C
Journal of Physical Chemistry C, American Chemical Society, 2009, 113 (19), pp.8234-8242
ISSN: 1932-7447
1932-7455
Popis: International audience
Databáze: OpenAIRE