Characterization of Dopamine-Melanin Growth on Silicon Oxide
| Autor: | Bernsmann, F., Ponche, A., Ringwald, C., Hemmerle, J., Raya, J., Bechinger, B., C. Voegel, J., Schaaf, P., Ball, V. |
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| Přispěvatelé: | Institut Charles Sadron (ICS), Université de Strasbourg (UNISTRA)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Réseau nanophotonique et optique, Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Strasbourg (UNISTRA)-Université de Haute-Alsace (UHA) Mulhouse - Colmar (Université de Haute-Alsace (UHA))-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Strasbourg (UNISTRA)-Université de Haute-Alsace (UHA) Mulhouse - Colmar (Université de Haute-Alsace (UHA))-Matériaux et nanosciences d'Alsace (FMNGE), Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Strasbourg (UNISTRA)-Université de Haute-Alsace (UHA) Mulhouse - Colmar (Université de Haute-Alsace (UHA))-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Strasbourg (UNISTRA)-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Wehr, Monique |
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2009 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | Journal of Physical Chemistry C Journal of Physical Chemistry C, American Chemical Society, 2009, 113 (19), pp.8234-8242 |
| ISSN: | 1932-7447 1932-7455 |
| Popis: | International audience |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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