Ultra-thin strained SOI substrate analysis by pseudo-MOS measurements

Autor: Gallon C. Fenouillet-Béranger N. Bresson S. Cristoloveanu F. Allibert S. Bord C. Aulnette D. Delille E. Latu-Romain J.M. Hartmann T. Ernst F. Andrieu Y. Campidelli B. Ghyselen I. Cayrefourcq F. Fournel N. Kernevez T. Skotnicki, C.
Přispěvatelé: Domenget, Chahla, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique (IMEP), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2005
Předmět:
Zdroj: Microelectronic Engineering
Microelectronic Engineering, Elsevier, 2005, 80, pp.241-244
14th Biennial Conf. on Insulating Films On Semiconductors (INFOS'05)
14th Biennial Conf. on Insulating Films On Semiconductors (INFOS'05), 2005, XX, pp.XX
ISSN: 0167-9317
1873-5568
Popis: International audience
Databáze: OpenAIRE