Diseño de un amplificador de muy baja tensión y altas prestaciones basado en técnicas gate y bulk-driven
| Autor: | Corbacho Méndez, Ángel |
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| Přispěvatelé: | Torralba Silgado, Antonio Jesús, Luján Martínez, Clara Isabel, Universidad de Sevilla. Departamento de Ingeniería Electrónica |
| Jazyk: | Spanish; Castilian |
| Rok vydání: | 2020 |
| Zdroj: | idUS. Depósito de Investigación de la Universidad de Sevilla instname idUS: Depósito de Investigación de la Universidad de Sevilla Universidad de Sevilla (US) |
| Popis: | En este proyecto se presenta una nueva técnica de diseño de transistores de baja tensión, bulk driven quasi floating gate (BD-QFG), esta técnica consigue aunar las prestaciones de baja tensión que se obtienen con la técnica bulk driven y gate driven. Posteriormente, se proponen dos amplificadores de 3 etapas, clase AB de baja tensión empleando dicha técnica. Estos amplificadores son diseñados en el entorno de trabajo Cadence en una tecnología CMOS estándar de 180 nm y se realizan los análisis necesarios para verificar su funcionamiento. Por último, se comparan las prestaciones obtenidas. In this project a new design technique for the design of low voltage transistors known as bulk driven quasi floating gate (BD-QFG) is presented. Such a technique manages to combine the low voltage features obtained using the bulk driven and gate driven technique. Subsequently, two three-stage low-voltage class AB amplifiers are proposed employing this method. These amplifiers are designed in the Cadence work environment in a standard 180nm CMOS technology and the necessary tests are performed in order to check their functioning. Finally, the benefits obtained are compared. Universidad de Sevilla. Máster en Ingeniería Electrónica, Robótica y Automática |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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