Etude des propriétés uniques des MOSFET en Carbure de Silicium (SiC) en régime de court-circuit
| Autor: | Boige, François, RICHARDEAU, Frédéric |
|---|---|
| Přispěvatelé: | Convertisseurs Statiques (CS), LAboratoire PLasma et Conversion d'Energie (LAPLACE), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Conseil national de la recherche scientifique (CNRS), Conseil National de la Recherche Scientifique (Liban) (CNRS-L), Université de Toulouse (Université de Toulouse), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Convertisseurs Statiques (LAPLACE-CS), National Council for Scientific Research = Conseil national de la recherche scientifique du Liban [Lebanon] (CNRS-L), IRT Saint Exupéry - Institut de Recherche Technologique |
| Jazyk: | francouzština |
| Rok vydání: | 2018 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | "Analyse et mécanismes de défaillance des composants pour l'électronique", ATELIER ANADEF 2018 "Analyse et mécanismes de défaillance des composants pour l'électronique", ATELIER ANADEF 2018, Jun 2018, Hossegor, France |
| Popis: | National audience |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|