Барична та тензочутливість шаруватих напівпровідників InSe та GaSe

Autor: Zakhar Kovalyuk, Pyrlya, M. M., Boledzyuk, V. B., Shevchik, V. V.
Jazyk: ukrajinština
Rok vydání: 2022
Zdroj: Ukrainian Journal of Physics; Vol. 56 No. 4 (2011); 366
Український фізичний журнал; Том 56 № 4 (2011); 366
Scopus-Elsevier
ISSN: 2071-0194
2071-0186
DOI: 10.15407/ujpe56.4
Popis: Experimental data on the pressure sensitivity of InSe and GaSe layered semiconductor crystals and their metal intercalates areobtained. From the measurement results, the pressure (dynamic) sensitivity coefficient for these compounds is determined. Highvalues of the pressure sensitivity coefficient for InSe and GaSe crystals and their intercalates at fast-varying pressures (kP ≈ 10–8–10–7 Pa–1) open a possibility to use them as sensitive elements of overload indicators (accelerometers). Based on the measurements and the calculations carried out for ``layered crystal–silicon'' structures, it is established that, in the range of relative deformations of the order of 10–5 Pa–1, the strain sensitivity factor kT = 1300–1500, while, in the range of relative deformations of 10–4 Pa–1, kT = 300. It is found that the strain sensitivity of intercalated layered crystals depends on the degree of overlapping of the atomic orbits of an intercalant and its density.
Одержано експериментальні результати по дослідженню баричної чутливості шаруватих напівпровідникових кристалів InSe, GaSe та їх металевих інтеркалятів. Результати вимірювань дозволили визначити коефіцієнт баричної (динамічної) чутливості для даних сполук. Високі значення коефіцієнта баричної чутливості монокристалів InSe, GaSe та їх інтеркалятів (kP ≈ 10–8–10–7 Па–1) для швидкозмінних тисків відкрили можливість для їх використання у ролі чутливих елементів індикаторів перевантажень (акселерометрів). З проведених вимірювань та розрахунків для структур шаруватий напівпровідник–кремній встановлено, що в області відносних деформацій ~10–5 Па–1 коефіцієнт тензочутливості kT = 1300–1500, в області відносних деформацій ~10–4 Па–1 значення kT = 300. Визначено, що тензочутливість інтеркалятів шаруватих кристалів залежить від ступеня перекриття орбіт атомів інтеркальованої домішки та її концентрації.
Databáze: OpenAIRE
Externí odkaz: