Improvement of Capacitive Behavior on Gradient-Free PZT Thin Films
| Autor: | Pelloquin, Sylvain, Le Rhun, Gwenael, Defaÿ, Emmanuel, Renaux, Philippe, Nolot, Emmanuel, Abergel, Julie, Sibuet, Henri |
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| Přispěvatelé: | Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Équipe Photonique (LAAS-PHOTO), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées |
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2014 |
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| Zdroj: | Integrated Ferroelectrics Integrated Ferroelectrics, 2014, ⟨10.1080/10584587.2014.912887⟩ |
| ISSN: | 1058-4587 |
| DOI: | 10.1080/10584587.2014.912887⟩ |
| Popis: | International audience; PbZr0,52Ti0,48O3 thin films were synthetized by sol-gel techniques on large scale Pt(111)/TiOx/SiO2/Si substrates (200 mm in diameter). The Zr/Ti ratio gradient – that appears through the thickness of the layer with standard processing – can be reduced using an optimized “gradient-compensated” approach. Capacitance measurements revealed an augmentation of the effective permittivity from 5 to 15% using “gradient-free” PZT (reaching 1700 for 2μm). Large scale breakdown voltage analysis revealed an increase of 20% for the breakdown field for low thicknesses (1.25MV/cm for 240 nm-thick layer) suitable for capacitor integration. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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