Crecimiento por ablación láser de films delgados de óxidos con propiedades de memoria resistiva
| Autor: | Roman Acevedo, Wilson Stibens |
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| Přispěvatelé: | Rubi, Diego |
| Jazyk: | Spanish; Castilian |
| Rok vydání: | 2019 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | CONICET Digital (CONICET) Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas instacron:CONICET |
| Popis: | El rápido desarrollo de la tecnología de memorias electrónicas acompaña la evolución continua de la tecnología informática y otros dispositivos electrónicos de consumo, como reproductoras de audio digital, cámaras digitales y teléfonos móviles. En la actualidad, dos tipos de memoria dominan el mercado: la memoria dirigida eléctricamente y la memoria dirigida mecánicamente. El primero caso incluye típicamente las memorias dinámicas de acceso aleatorio (DRAM) y las memorias FLASH. La memoria direccionada mecánicamente se refiere principalmente a la memoria de almacenamiento magnético, típicamente los discos duros, que tiene una capacidad de almacenamiento mucho más alta y un precio más bajo que la DRAM y la memoria flash, pero presentan bajas velocidades de escritura y lectura.Las memorias DRAM están compuestas básicamente por un transistor y un condensador que almacenan carga. Si bien presentan excelentes prestaciones en cuanto a durabilidad (1016 ciclos de escritura), velocidad de lectura/escritura ( |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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