Izračunavanje gubitaka učinskih tranzistora s efektom polja za određivanje njihove strujne opteretivosti
| Autor: | Šunde, Viktor |
|---|---|
| Přispěvatelé: | Benčić, Zvonko |
| Jazyk: | chorvatština |
| Rok vydání: | 1999 |
| Předmět: |
Učinski tranzistor s efektom polja (MOSFET)
macromodel nadomjesna temperatura silicija micromodel transient thermal impedance Elektrotehnika temperature measurement of a junction temperature TEHNIČKE ZNANOSTI. Elektrotehnika računanje vremenskog tijeka nadomjesne temperature silicija računanje vremenskog tijeka gubitaka učinski tranzistor s efektom polja mikromodel makromodel prijelazna toplinska impedancija mjerenje temperature silicijeve pločice udc:621.3(043.3) virtul junction temperature makromodel mikromodel TECHNICAL SCIENCES. Electrical Engineering Field effect power transistor (MOSFET) mjerenje temperature silicijeve pločice komponente calculating the time course of losses Electrical engineering calculation of the time course of virtual junction temperature |
| Popis: | Tema rada su gubici učinskog MOSFET-a. Cilj rada je izračunavanje vremenskog tijeka gubitaka u sklopovima energetske elektronike s definiranom točnošću. Svrha rada je upotreba rezultata izračunavanja u proračunu strujne opteretivosti učinskog MOSFET-a, odnosno u postupku električkog i toplinskog projektiranja pretvaračkih sklopova. Power MOSFET losses are the subject of this dissertation. It's aim is to calculate the time course of losses in power electronic circuits with a defined accuracy. The purpose of this work is to enable the utilization of calculation of current capability of the power MOSFET, i.e. in the procedure of electric and thermal designs of converter circuits. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|