Étude par simulation TCAD des effets design et température d'un inverseur CMOS sur la sensibilité Latchup
| Autor: | Al Youssef, Ahmad, Artola, Laurent, Ducret, Samuel, Hubert, Guillaume, Perrier, Franck |
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| Přispěvatelé: | André, Cécile, ONERA - The French Aerospace Lab [Toulouse], ONERA, SOFRADIR (Veurey-Voroize) |
| Jazyk: | francouzština |
| Rok vydání: | 2016 |
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| Zdroj: | JNRDM 2016 JNRDM 2016, May 2016, TOULOUSE, France |
| Popis: | International audience; Ces travaux présentent une étude par simulation composant des caractéristiques électriques d'un inverseur CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor) vis à vis du phénomène Latchup (SEL) en utilisant le simulateur TCAD Sentaurus du logiciel Synopsys. Les mécanismes de déclenchement du phénomène Latchup ont été étudiés et ont permis de déduire des tendances de sensibilité en fonction des paramètres géométriques de l'inverseur CMOS. Une analyse physique spécifique des mécanismes en très basse température a conduit à définir un ensemble de modèles physiques (Shallow Level Impact Ionization, etc) nécessaire à la modélisation de l'accroissement inattendu de la sensibilité SEL. Les résultats en basse température ont montré une très bonne adéquation avec les mesures expérimentales. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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