Performances of InAlN/AlN/GaN HEMTs on sapphire substrate

Autor: Lecourt, F., Ketteniss, N., Behmenburg, H., Defrance, N., Hoel, V., Eickelkamp, M., Vescan, A., Giesen, C., Heuken, M., De Jaeger, J.C.
Přispěvatelé: Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2011
Zdroj: Proceedings of 20th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2011
20th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2011
20th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2011, 2011, Villeneuve d'Ascq, France. pp.1-2
Databáze: OpenAIRE