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Neste trabalho foram produzidos transístores de filme fino utilizando um dieléctrico orgânico (Parileno C), apresentando-se uma estrutura híbrida, uma vez que todas as outras camadas dos dispositivos são inorgânicas. Todos os processos de produção foram realizados à temperatura ambiente o que permite utilizar substratos poliméricos. São apresentados resultados de dispositivos produzidos em substratos de PET (Politereftalato de etileno), Kapton e Parileno C. Os TFTs (do inglês, Thin Film Transistors) apresentaram boas propriedades, nomeadamente:correntes de fuga de cerca de 10-11 A, razões on/off de cerca de 107e tensões on entre -4 V e 4 V (nos dispositivos optimizados). Foi estudada a sensibilidade ao pH de diferentes filmes conseguindo-se obter camadas sensíveis com 27mV/pHe 20 mV/pH (Ta2O51e GAZO2, respectivamente)e camadas não sensíveis. Nos eléctrodos porta dos TFTs produzidos foi depois depositada uma camada sensível ou uma camada não sensível ao pH, e deste modo foram desenvolvidos ISFETs adoptando uma configuração diferencial que envolve dois dispositivos (um sensível e outro insensível ao pH) num mesmo substrato e um pseudo-eléctrodode referência.O desenvolvimento e optimização deste tipo de sensores em substratos poliméricos, em conjunto com a configuração implementada,traduz vantagens a nível da facilidade de individualização de cada sensor e de se conseguir uma tecnologia de baixo custo e descartável. |
