High resolution electron microscopy study of damage created in Si-implanted InP
| Autor: | Zheng, P., Ruault, M.O., Pitaval, M., Descouts, B., Krauz, P., Gasgnier, M., Crestou, J. |
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| Přispěvatelé: | Centre de Spectrométrie Nucléaire et de Spectrométrie de Masse (CSNSM), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Physique Nucléaire et de Physique des Particules du CNRS (IN2P3)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11) |
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 1991 |
| Zdroj: | Applied Physics Letters Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 1991, 59, pp.1594-1596 |
| ISSN: | 0003-6951 |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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