Fabrication and characterization of 100-nm In0.53Ga0.47As-In0.52Al0.48As double-gate HEMTs with two separate gate controls
| Autor: | Wichmann, N., Duszynski, I., Wallart, X., Bollaert, S., Cappy, A. |
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| Přispěvatelé: | Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF) |
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2005 |
| Zdroj: | IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Letters, 2005, 26, pp.601-603 IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2005, 26, pp.601-603 |
| ISSN: | 0741-3106 |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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