Effet de recuits thermiques sur des diélectriques à faible permittivité pour des applications Back-End-of-Line intermédiaire en vue d'une intégration 3D séquentielle
| Autor: | Beaurepaire, Sylvain |
|---|---|
| Přispěvatelé: | Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Université Grenoble Alpes, Ahmad Bsiesy, STAR, ABES |
| Jazyk: | francouzština |
| Rok vydání: | 2019 |
| Předmět: |
Low dielectric permitivity
Diélectrique à faible permittivité [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics Oxyde fiability Couches diélectriques minces Dielectric thin-Layers Intégration monolithique en 3D 3D monolithic integration [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics Fiabilité d’oxydes |
| Zdroj: | Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes, 2019. Français. ⟨NNT : 2019GREAT085⟩ |
| Popis: | 3D monolithic integration is becoming a new challenge towards developing advanced integrated electronic devices. One of the main key process is to obtain low dielectric constant materials (low-k) able to ensure the classical role of electrical insulator between different stacked conducting layers, but that can withstand high processing temperatures (> 500°C). The “classical” low-K materials cannot fulfill these requirements. The main aim of this thesis is to develop such materials by using appropriate doping of classical low-k materials that can show enhanced thermal stability. In particular, a study will be conducted on the evolution, after thermal processing, of point defects density such as dangling bonds and highly polarizable bonds. Indeed, these defects play a major role in determining the electrical characteristics of the low-k material (leakage current, reliability,…). Chemical vapor deposition techniques will be used to grow the low-k material, and a number of structural and compositional analysis techniques will be used to get access to the material characteristics (elliprometry, XRR, FTIR). L’utilisation de diélectriques à faible permittivité (low-k) devient nécessaire pour les intégrations de type 3D monolithiques, notamment comme couche diélectrique d’isolation susceptibles de tenir des budgets thermiques élevés (traitement à des températures > à 500°C). Les matériaux low-K «classiques » ne remplissent à priori pas ces spécifications. L’objectif principal de la thèse est de développer et d’étudier de nouveaux matériaux low-k possédant de meilleures stabilités en température. En parallèle, une étude approfondie sera conduite sur l’évolution de défauts (liaisons pendantes, liaisons fortement polarisables, …) suite au traitement thermique. En effet, ces défauts jouent un rôle important dans les caractéristiques électriques du matériau (courant de fuite, fiabilité). Des techniques d’élaboration de matériaux seront mises en œuvre ainsi qu’un ensemble de moyens d’analyses physico-chimiques (ellipsométrie, XRR, FTIR). |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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