2 µm resonant cavity enhanced InP/InGaAs single quantum well photo-detector

Autor:	Jourba, S., Besland, M.-P., GENDRY, Michel, Garrigues, M., Leclercq, J.-L., Rojo-Romeo, P., Viktorovich, P., Cortial, S., Hugon, X., Pautet, C.
Přispěvatelé:	Laboratoire d'électronique, optoélectronique et microsystèmes (LEOM), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Thomson-CSF Laboratoire Central de Recherches (THOMSON-CSF LCR), Thomson
Jazyk:	angličtina
Rok vydání:	1999
Předmět:	[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Zdroj:	Electronics Letters Electronics Letters, IET, 1999, 35 (15), pp.1272. ⟨10.1049/el:19990620⟩
ISSN:	0013-5194 1350-911X
DOI:	10.1049/el:19990620⟩
Popis:	International audience
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::2e349636678ad75ec18d234522c73a39 https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02194232 Zobrazit plný text záznamu