High-precision deformation mapping in finFET transistors with two nanometre spatial resolution by precession electron diffraction

Autor: Cooper, David, Bernier, Nicolas, Rouviere, Jean-Luc, Rouvière, Jean-Luc, Wang, Yun-Yu, Weng, Weihao, Madan, Anita, Mochizuki, Shogo, Jagannathan, Hemanth
Přispěvatelé: Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Laboratoire d'Etude des Matériaux par Microscopie Avancée (LEMMA ), Modélisation et Exploration des Matériaux (MEM), Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), IBM [Yorktown] (IBM), IBM, Rouviere, Jean-Luc, Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2017
Předmět:
Zdroj: Applied Physics Letters
Applied Physics Letters, 2017, 110 (22), pp.223109
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2017, 110 (22), pp.223109
ISSN: 0003-6951
Popis: International audience
Databáze: OpenAIRE