Influence de méthodes PWM sur le cyclage thermique des semiconducteurs d'un onduleur SiC triphasé 15kVA
| Autor: | Cougo, Bernardo, Morais, Lenin, Riva, Raphael |
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| Přispěvatelé: | IRT Saint Exupéry - Institut de Recherche Technologique, Federal University of Minas Gerais (UFMG), Université de Lorraine [UL] |
| Jazyk: | francouzština |
| Rok vydání: | 2018 |
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| Zdroj: | Symposium de Génie Electrique Symposium de Génie Electrique, Université de Lorraine [UL], Jul 2018, Nancy, France |
| Popis: | International audience; Cet article présente une étude de l'influence des méthodes PWM sur la contrainte thermique appliquée aux dispositifs semiconducteurs SiC utilisés dans un onduleur triphasé. La variation des méthodes PWM impacte directement les pertes instantanées de ces semiconducteurs, qui sont l'une des causes de stress thermique, ce qui, à travers la dynamique thermique du dispositif, provoque une variation non négligeable de la température de jonction à la fréquence de la fondamental du courant de sortie du convertisseur. Ce cyclage thermique peut diminuer considérablement la vie utile de ces composants. Pour déterminer les pertes dans les semiconducteurs il est nécessaire de caractériser des dispositifs SiC dans le but de calculer la puissance instantanée. La méthodologie de caractérisation des dispositifs, le calcul de la puissance et de la température instantanée des puces SiC ainsi que l'influence des différentes méthodes PWM seront présentées. Les meilleures méthodes PWM seront ainsi choisies dans le but d'augmenter la fiabilité des modules de puissance SiC dans des onduleurs triphasés. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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