Characterization and modeling of transient self-heating in GaN HEMTs

Autor: Cutivet, Adrien, Bouchilaoun, Meriem, Chakroun, Ahmed, Soltani, Ali, Jaouad, Abdelatif, Boone, François, Maher, Hassan
Přispěvatelé: Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes (LN2 ), Université de Sherbrooke (UdeS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] (3IT), Université de Sherbrooke (UdeS), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Université de Lyon-Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2017
Předmět:
Zdroj: 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS12)
12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS12), Jul 2017, Strasbourg, France
12th International Conference on Nitride Semiconductors 2017 (ICNS-12)
12th International Conference on Nitride Semiconductors 2017 (ICNS-12), Jul 2017, Strasbourg, France
Popis: International audience
Databáze: OpenAIRE
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