Effect of total gas pressure in sputtered hydrogenated amourphous silicon

Autor: Fedala, Abdelkrim, Dad, Aghilas, Khefiani-Guellil, Moussa, Tata, Sonia, Simon, Claude, Mohammed-Brahim, Tayeb
Přispěvatelé: Laboratoire de Physique des Matériaux, Faculté de Physique, Institut d'Électronique et des Technologies du numéRique (IETR), Nantes Université (NU)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Nantes (UN)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Nantes (UN)-Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2014
Předmět:
Zdroj: physica status solidi (c)
physica status solidi (c), Wiley, 2014, C11, 11-12, pp.1682-1685
physica status solidi (c), 2014, C11, 11-12, pp.1682-1685
ISSN: 1610-1634
1610-1642
Popis: International audience
Databáze: OpenAIRE
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