Selective area growth of ZnO nanowires with controllable polarity using chemical bath deposition

Autor:	Cossuet, T., Bocheux, A., Thomassin, J.L., Parize, R., Robaut, F., Sarigiannidou, E., Donatini, F., Appert, E., Consonni, Vincent
Přispěvatelé:	Laboratoire des matériaux et du génie physique (LMGP ), Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés (SIMaP ), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Optique et microscopies (POM), Institut Néel (NEEL), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])
Jazyk:	angličtina
Rok vydání:	2016
Předmět:	[CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Zdroj:	Conférence Nationale sur les Processus Ultimes d’épitaxie des Semiconducteurs Conférence Nationale sur les Processus Ultimes d’épitaxie des Semiconducteurs, Jul 2016, Marseille, France
Popis:	National audience
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::1549fdd65edff90b9d1d1b4aedc209f5 https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02016931 Zobrazit plný text záznamu