AlGaN/GaN high electron mobility transistors with a metal field-plate structure
| Autor: | KADDECHE, M., Telia, A., Soltani, A. |
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| Přispěvatelé: | Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF) |
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2011 |
| Zdroj: | 9th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-9 9th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-9, 2011, Glasgow, United Kingdom |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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