Dependence of minority charge carriers lifetime on point defects type and their concentration in single-crystal silicon

Autor:	Zaitsev, R. V., Kopach, V. R., Michail Kirichenko, Doroshenko, A. N., Khrypunov, G. S.
Předmět:	Modeling and simulation
Zdroj:	Scopus-Elsevier
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::0c95599afb5b2b44fc86db880f86f136 http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-84856719679&partnerID=MN8TOARS Zobrazit plný text záznamu