Mechanism of Annealing of VO Defects in n-Si Under Pulse Electron Irradiation at High-Temperatures

Autor: Kraitchinskii, A. M., Mykola Kras'ko, Kolosiuk, A. G., Petrunya, R. V., Povarchuk, V. Y., Voytovych, V. V., Neimash, V. B., Makara, V. A., Rudenko, R. M.
Jazyk: ukrajinština
Rok vydání: 2022
Zdroj: Ukrainian Journal of Physics; Vol. 56 No. 9 (2011); 922
Український фізичний журнал; Том 56 № 9 (2011); 922
Scopus-Elsevier
ISSN: 2071-0194
2071-0186
DOI: 10.15407/ujpe56.9
Popis: We study the kinetics of accumulation of vacancy-oxygen (VO) complexes in Czochralski-grown (Cz) n-Si, at various intensities of pulse 1 MeV electron radiation at temperatures higher than the temperature of the onset of the thermal annealing of VO (T ≥ 300 ºC). It is shown that the irradiation with electrons at such temperatures causes the accelerated annealing of VO created by this radiation. The accelerated annealing of VO occurs during the action of a pulse of electrons. The maximum concentration of created VO increases with the radiation intensity and decreases, as the temperature of irradiated specimens increases. We propose a model of the process of accelerated annealing which is based on the assumption that specimen's electrons under the electron irradiation are excited in a high-energy valley. At the capture of such electrons by VO defects, the defects receive the energy which decreases essentially the energy of activation of their annealing. The high-energy threshold of the effect depends on the radiation intensity and increases with it.
Досліджено кінетику накопичення комплексу вакансія–кисень (VO) в n-Si, вирощеному методом Чохральського (Cz), при різних інтенсивностях імпульсного 1 МеВ електронного опромінення при температурах, вищих за температуру початку термічного відпалу VO (T ≥ 300 ºC). Показано, що опромінення електронами при таких температурах приводить до прискореного відпалу VO, створених цим опроміненням. Прискорений відпал VO відбувається у процесі дії імпульсу електронів. Максимальна концентрація VO, яка при цьому утворюється, зростає зі збільшенням інтенсивності опромінення і зменшується при збільшенні температури зразків при опроміненні. Запропоновано модель процесу прискореного відпалу, яка ґрунтується на тому, що при електронному опроміненні збуджуються електрони у високоенергетичну долину. При захопленні VO дефектами таких електронів дефектам передається енергія, яка суттєво зменшує енергію активації їх відпалу. Високотемпературна межа ефекту залежить від інтенсивності опромінення і зростає зі збільшенням інтенсивності.
Databáze: OpenAIRE
Externí odkaz: