Caractérisation et étude du temps de transit des électrons dans une structure HEMT à hétérojonction InAlN/GaN

Autor:	Agboton, Alain
Přispěvatelé:	Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)
Jazyk:	francouzština
Rok vydání:	2013
Zdroj:	Actes des 16èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2013 16èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2013 16èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2013, 2013, Grenoble, France. 4 p
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::09e1f40b9879837dfe13dc6c67bd72bc https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00957791 Zobrazit plný text záznamu