Electrical and optical localisation of leakage current and breakdown point in SiOC:H low-k dielectrics
| Autor: | Vidal-Dhô, Matthias, Hubert., Q, Gonon., P, Pelissier, B., Moragues., J-M, Fornara., P. |
|---|---|
| Přispěvatelé: | Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA), Clot, Marielle |
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2020 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures, 2020, Grenoble, France |
| Popis: | International audience |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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