Degree of polarization of the photo-luminescence and cathodo-luminescence for plasma etched InP and GaAs under control of the built-in mechanical stress in SiNx mask layer
| Autor: | Solène Gérard, Merwan Mokhtari, Jean-Pierre Landesman, Christophe Levallois, Marc Fouchier, Erwine Pargon, Névine Rochat, Philippe Pagnod-Rossiaux, Francois Laruelle, Daniel Cassidy, Juan Jimenez, Alfredo Torres |
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| Přispěvatelé: | Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), 3SP Technologies, McMaster University [Hamilton, Ontario], Universidad de Valladolid [Valladolid] (UVa), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES) |
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2019 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | 18th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP XVIII) 18th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP XVIII), Sep 2019, Berlin, Germany HAL |
| Popis: | International audience |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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