Caractérisation de la diode d'un transistor HEMT en GaN sous illumination UV

Autor: Divay, Alexis, Latry, O., Duperrier, Cédric, Temcamani, Farid
Přispěvatelé: Groupe de physique des matériaux (GPM), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU), Equipes Traitement de l'Information et Systèmes (ETIS - UMR 8051), Ecole Nationale Supérieure de l'Electronique et de ses Applications (ENSEA)-Université de Cergy Pontoise (UCP), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire QUARTZ (QUARTZ ), Université Paris 8 Vincennes-Saint-Denis (UP8)-SUPMECA - Institut supérieur de mécanique de Paris-Ecole Nationale Supérieure de l'Electronique et de ses Applications (ENSEA)-Ecole Internationale des Sciences du Traitement de l'Information (EISTI), DGA- Région Haute Normandie, Divay, Alexis, Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Ecole Nationale Supérieure de l'Electronique et de ses Applications (ENSEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-CY Cergy Paris Université (CY), Université Paris 8 Vincennes-Saint-Denis (UP8)-Ecole Nationale Supérieure de l'Electronique et de ses Applications (ENSEA)-SUPMECA - Institut supérieur de mécanique de Paris (SUPMECA)-Ecole Internationale des Sciences du Traitement de l'Information (EISTI), Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Jazyk: francouzština
Rok vydání: 2015
Předmět:
Zdroj: TELECOM’2015 & 9èmes JFMMA
TELECOM’2015 & 9èmes JFMMA, May 2015, Meknes, Maroc
Popis: International audience; La technologie HEMT (High Electron Mobility Transistor) en Nitrure de Gallium est prometteuse pour le fonctionnement radiofréquence. Cependant, le manque de retour d'expérience sur cette technologie récente pose des questions sur sa fiabilité. La caractérisation de la grille (diode Schottky) de ce type de transistors permet de mettre en évidence d'éventuelles modifications physiques de grille au cours de son vieillissement. Cependant, les phénomènes de piégeage viennent perturber ces caractérisations. Des analyses avec et sans éclairage UV permettent de dissocier le comportement de la diode de celui des pièges situés au voisinage de la grille. Plusieurs caractéristiques IV de diodes sur ce type de composants sont donc mesurées sous différentes conditions d'éclairage et de température, de manière à obtenir des informations sur l'impact des phénomènes de piégeage observables sur ce type de jonctions.
Databáze: OpenAIRE
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