Utilisation du GaAs épitaxié à basse température pour augmenter la densité de puissance des TECs
| Autor: | Theron, Didier, Boudart, B., Druelle, Y., Salmer, Georges, Lipka, M., Kohn, Erhard |
|---|---|
| Přispěvatelé: | Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF) |
| Jazyk: | francouzština |
| Rok vydání: | 1997 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | 6es Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique (JNMO) 6es Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique (JNMO), 1997, Chantilly, France |
| Popis: | International audience |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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