SiGe Low Temperature Epitaxy by PECVD on III-V MOVPE Grown Material for High Efficiency Tandem Solar Cell Applications

Autor: Decobert, Jean, Cariou, Romain, Louarn, Kevin, Fortin, Catherine, Lachaume, Raphaël, Alvarez, J, Kleider, Jean-Paul, Foldyna, Martin, Cabarrocas, Pere Roca I.
Přispěvatelé: Alcatel-Thalès III-V lab (III-V Lab), THALES-ALCATEL, Laboratoire de physique des interfaces et des couches minces [Palaiseau] (LPICM), École polytechnique (X)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris (GeePs), Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), ANR-13-PRGE-0009,IMPETUS,Multi-jonctions innovantes combinant MOVPE et épitaxie à basse température pour le solaire(2013), THALES [France]-ALCATEL, KLEIDER, Jean-Paul, Production Renouvelable et Gestion de l'Electricité - Multi-jonctions innovantes combinant MOVPE et épitaxie à basse température pour le solaire - - IMPETUS2013 - ANR-13-PRGE-0009 - PROGELEC - VALID
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2015
Předmět:
Zdroj: 16th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy, EWMOVPE XVI
16th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy, EWMOVPE XVI, Jun 2015, Lund, Sweden
Popis: International audience
Databáze: OpenAIRE