Micro-twin Defects in InSb/AlInSb layers grown on (001) GaAs ∼ Application of the 〈1̄16〉-directional TEM analysis ∼

Autor: Mishima, T.D., Santos, M.B.
Rok vydání: 2010
Předmět:
Zdroj: Physics Procedia. 3(2):1373-1377
ISSN: 1875-3892
DOI: 10.1016/j.phpro.2010.01.194
Databáze: OpenAIRE