Fast simulation of transient currents in irradiated silicon detectors
| Autor: | Díez González-Pardo, Álvaro |
|---|---|
| Přispěvatelé: | Fernández García, Marcos, Vila Álvarez, Iván, Universidad de Cantabria |
| Rok vydání: | 2017 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | UCrea Repositorio Abierto de la Universidad de Cantabria Universidad de Cantabria (UC) |
| Popis: | Existing simulation software TRACS[1] has been upgraded to account for radiation effects in silicon detectors. Radiation damage has been parametrised in terms of the space charge distribution (Neff ) profile and the probability of carrier trapping (through the trapping time τ). It is possible to define the Neff profile using three different parametrisations. Depending on the parametrisation, the user needs to adjust between 2 and 6 parameters to properly define the Neff profile. TRACS has also been extended to be used by external software as a library. The simulations of irradiated silicon detectors have been compared to measurements and show agreement withing the estimated error for TRACS simulations. RESUMEN: El software de simulación TRACS ha sido mejorado para incluir los efectos de la radiación en los detectores de silicio. El daño por radiación ha sido parametrizado en términos del perfil de distribución espacial de la carga (Neff ) y la probabilidad de atrapamiento de los portadores (a través del tiempo de atrapamiento τ). Dentro del software es posible definir el Neff utilizando una de las tres diferentes parametrizaciones. Dependiendo de la parametrización el usuario debería definir el Neff ajustando entre 2 a 6 parámetros libres. La funcionalidad de TRACS también ha sido ampliada pudiendo ser utilizado como una librería dentro de software externo. Las simulaciones de detectores de silicio irradiados han sido comparadas con medidas experimentales y muestra acuerdo dentro del error estimado para las simulaciones de TRACS. Grado en Física |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|