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Des couches minces de TiO2 dope au cuivre ont ete preparees par la methode Sol-Gel et deposees selon le procede dip-coating sur des substrats en verre. Les proprietes structurales, optiques et electriques des echantillons monocouches dopes 0, 3 et 7 % at. cuivre ont ete analysees par diffraction des rayons X (DRX), microscopie a force atomique (AFM), la spectroscopie ellipsometrique (SE) et spectroscopie UV-Visible. La structure des films est celle d¡¦une phase anatase avec une orientation preferentielle suivant l¡¦axe (101). La transmittance est de l¡¦ordre de 75 % dans le visible et l¡¦energie de la bande optique interdite varie de 3,3 a 2,97 eV. Les valeurs de l¡¦indice de refraction et de la densite de remplissage augmentent avec l¡¦augmentation du dopage en cuivre qui se situe dans l¡¦intervalle 0 a 7 % at. La caracterisation electrique, realisee a l'aide de la technique de deux pointes, a donne une conductivite electrique maximale de 1,29 (ƒÇcm)-1 obtenue pour le film dope a 7 % Cu.Mots-cles : TiO2, anatase, indice de refraction, gap optique, sol-gel. |
