| Autor: |
Vranješ Markić, Leandra, Bešlić, Ivana, Stipanović, Petar, Zillich, E. Robert |
| Jazyk: |
angličtina |
| Rok vydání: |
2011 |
| Předmět: |
|
| Popis: |
Proučavani su klasteri s N atoma He-4 adsorbirani na jednoj i obje strane grafena. Interakcija klastera He-4 s grafenom modelirana je korištenjem usrednjenog He-C potencijala koji ovisi samo o udaljenosti od površine grafena te s potencijalom koji je konstruiran kao suma pojedinačnih He-C interakcija. Na taj način je procijenjen utjecaj korugacije na osobine vezanja klastera helija. Također je razmotren i utjecaj supstratom meditirane Mclachlanove interakcije. Svi su proračuni izvršeni korištenjem kvantnih Monte Carlo metoda. Na temperaturi nula Kelvina osobine osnovnog stanja klastera 4HeN, za 1< N |
| Databáze: |
OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|
