| Autor: |
Beydoun, B., Rossel, P., Tranduc, H., Charitat, G., Beydoun, B., Rossel, P., Tranduc, H., Charitat, G. |
| Zdroj: |
Journal de Physique III; August 1994, Vol. 4 Issue: 8 p1383-1396, 14p |
| Abstrakt: |
On détermine le compromis statique " résistance passante — tenue en tension " des transistors MOS de puissance multicellulaires sur carbure de silicium. Cette limite est d'abord calculée analytiquement pour le matériau volumique. L'influence de la taille des cellules du transistor MOS est ensuite prise en compte. Au niveau dynamique, la commutation résistive est également simulée. On confirme que les performances statiques de composants SiC sont potentiellement meilleures que celles de leurs homologues Si. D'un point de vue dynamique, on montre que selon la tenue en tension considérée, une dégradation du temps de commutation peut ou non apparaître. Celle-ci est expliquée par l'accroissement de la capacité drain-grille corrélative à l'augmentation de dopage. |
| Databáze: |
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