Autor:	Ramachandran, R., Nijjar, M., Podell, A., Stoneham, E., Mitchell, S., Wang, N.L., Ho, W.J., Chang, M.F., Sullivan, G.J., Higgins, J.A., Asbeck, P.M.
Zdroj:	12th Annual Symposium on Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC); 1990, p357-360, 4p
Databáze:	Complementary Index
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu