Degradation of MOS tunnel structures at high current density

Autor:	Grekhov, I. V., Shulekin, A. F., Veksler, M. I.
Zdroj:	Semiconductors; Jun98, Vol. 32 Issue 6, p668, 5p
Databáze:	Complementary Index
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu