Implantation angle influence on penetration of boron channelled ionsinto silicon
| Autor: | Diasamidze, E. M., Guldamashvili, A. I., Gverdtsiteli, I. G., Muralev, V. A., Kumakhov, M. A., Kalinin, A. N., Zaslavsky, S. A. |
|---|---|
| Předmět: | |
| Zdroj: | Radiation Effects; 1973, Vol. 19 Issue 3, p171, 0p |
| Databáze: | Complementary Index |
| Externí odkaz: |
|