| Abstrakt: |
У поточному дослідженні використовується чисельне моделювання за допомогою платформи SCAPS-1D для дослідження ефективності сонячних елементів на основі перовскіту з RbGeI3, що використовується як поглинаючий матеріал із широкою забороненою зоною 1,31 еВ. Завдяки систематичному дослідженню різних параметрів, включаючи температуру, товщину шару, легування та дефекти, дослідження спрямоване на підвищення ефективності сонячних елементів, враховуючи їхню чутливість до коливань температури. Результати демонструють, що запропонована конфігурація ефективно розширює спектр поглинання в ближню інфрачервону область, при цьому товщина шару RbGeI3 стає критичним фактором, що впливає на продуктивність пристрою. Аналіз показує, що пік послідовного опору досягає 2 Ωꞏсм², тоді як опір шунта досягає оптимальних вихідних параметрів до 103 Ωꞏсм². Крім того, зусилля з оптимізації призвели до отримання сонячної батареї з ефективністю перетворення потужності 24,62%, коефіцієнтом заповнення 82,8%, напругою холостого ходу 0,99 В і щільністю струму короткого замикання 33,20 мА/см2 при товщині RbGeI3 0,6 мкм. Це комплексне чисельне дослідження не тільки покращує розуміння складних факторів, що впливають на перовскітні сонячні елементи, але також пропонує багатообіцяючі шляхи для майбутніх досягнень у цій галузі. [ABSTRACT FROM AUTHOR] |
