Preparation of Bulk Ingots of the Spin-Polarized Zero-Gap Semiconductor Ti2MnAl.

Autor:	Borisenko, D. N., Devyatov, E. V., Esin, V. D., Kolesnikov, N. N., Shakhlevich, O. F.
Předmět:	NARROW gap semiconductors INGOTS HEUSLER alloys MELTING LEVITATION TITANIUM
Zdroj:	Inorganic Materials; Sep2022, Vol. 58 Issue 9, p999-1004, 6p
Abstrakt:	We report the preparation of bulk ingots of a spin-polarized Ti2MnAl zero-gap semiconductor (Heusler alloy). Ti2MnAl was prepared from elemental titanium, manganese, and aluminum by levitation melting via high-frequency induction heating in an argon atmosphere and by electric-arc skull melting in a helium atmosphere. The melt solidification mechanism and kinetics have been studied in detail. [ABSTRACT FROM AUTHOR]
Databáze:	Complementary Index
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.