Comparison of Field Effect Transistor with C-nPd gate and resistive C-nPd film sensing properties toward hydrogen.
Autor: | Krawczyk, Sławomir, Czerwosz, Elżbieta, Wronka, Halina, Firek, Piotr, Sochacki, Mariusz, Szmidt, Jan |
---|---|
Předmět: | |
Zdroj: | Przegląd Elektrotechniczny; 2022, Vol. 98 Issue 9, p311-313, 3p |
Databáze: | Complementary Index |
Externí odkaz: |