Comparison of Field Effect Transistor with C-nPd gate and resistive C-nPd film sensing properties toward hydrogen.

Autor: Krawczyk, Sławomir, Czerwosz, Elżbieta, Wronka, Halina, Firek, Piotr, Sochacki, Mariusz, Szmidt, Jan
Předmět:
Zdroj: Przegląd Elektrotechniczny; 2022, Vol. 98 Issue 9, p311-313, 3p
Databáze: Complementary Index