Ab Initio Calculations of V and Ge-doped TiO2.

Autor:	Hong-Hong Cao, Qiang Chen
Předmět:	DILUTED magnetic semiconductors VANADIUM GERMANIUM DOPED semiconductors TITANIUM dioxide
Zdroj:	Electromagnetic Materials - Proceedings of the Symposium R; 2005, p274-274, 1p
Databáze:	Complementary Index
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu