| Autor: |
DIAZ, R., GRISOLIA, J., DUPRAT, CH., GUERIN, F., CAPELLO, C., ROUABHI, C., GESSINN, F., RESPAUD, M., ASSAYAG, G. BEN |
| Zdroj: |
J3eA; 2014, Vol. 13, p1-7, 7p |
| Abstrakt: |
Cet article présente une formation de courte durée, en salle blanche, donnant une approche pratique complète du concept « NANO-INSIDE » appliqué à la réalisation de mémoire de type FLASH par l'intégration de nanocristaux de silicium dans la technologie NMOS. Il aborde toutes les opérations de fabrication des circuits intégrés de type « mémoires », ainsi que leurs caractérisations à la fois matériaux et composants (électriques). In fine, le but est de montrer à un public étudiant comment une information peut être mémorisée avec des objets nanométriques de façon durable et conservée même sans alimentation [ABSTRACT FROM AUTHOR] |
| Databáze: |
Complementary Index |
| Externí odkaz: |
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