Measurements and theoretical approximations of VA characteristics MOSFETs = Měření a teoretické aproximace VA charakteristik MOSFET.
Autor: | Chvátal, Miloš |
---|---|
Další autoři: |
Sedláková, Vlasta, 1969-
Šikula, Josef, 1933-
|
Jazyk: | angličtina |
Předmět: | |
Druh dokumentu: | Non-fiction |
Abstrakt: | Abstract: Článek se zabývá transportem nosičů náboje v kanálu tranzistoru typu MOSFET za předpokladu, že pohyblivost elektronů nezávisí na intenzitě podélného elektrického pole, určeného napětím na kolektoru a koncentrace elektronů v kanálu je exponenciální funkcí rozdílového napětí mezi elektrodou hradla a křemíkového substrátu. V tomto případě je celkový proud složen z proudu driftového a difuzního a je určen poměr mezi oběma složkami. Za těchto předpokladů je odvozeno rozdělení koncentrace nosičů a závislost napětí na poloze v kanálu. |
Databáze: | Katalog Knihovny AV ČR |
Externí odkaz: |