Design technology of stacked NAND-type FeRAM with two-transistor-type memory cell.

Autor:	Sugano, Koichi1, Watanabe, Shigeyoshi2
Zdroj:	Electronics & Communications in Japan. Apr2013, Vol. 96 Issue 4, p41-52. 12p. 12 Diagrams.
Databáze:	Business Source Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.