Self-aligned gate dielectric in carbon nanotube field-effect transistors by anodic oxidation of aluminium.
Autor: | Tsai, JeffT.H.1 (AUTHOR) thtsai@ttu.edu.tw, Wang, Wei-Syun1 (AUTHOR), Chen, Szu-Hung2 (AUTHOR), Sun, Chia-Liang3 (AUTHOR) |
---|---|
Zdroj: | Journal of Experimental Nanoscience. Mar2013, Vol. 8 Issue 2, p138-144. 7p. |
Databáze: | Academic Search Ultimate |
Externí odkaz: | |
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje | K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit. |