Self-aligned gate dielectric in carbon nanotube field-effect transistors by anodic oxidation of aluminium.

Autor:	Tsai, JeffT.H.1 (AUTHOR) thtsai@ttu.edu.tw, Wang, Wei-Syun1 (AUTHOR), Chen, Szu-Hung2 (AUTHOR), Sun, Chia-Liang3 (AUTHOR)
Zdroj:	Journal of Experimental Nanoscience. Mar2013, Vol. 8 Issue 2, p138-144. 7p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.