Asymmetric halo and symmetric Single-Halo Dual-Material Gate and Double-Halo Dual-Material Gate n-MOSFETs characteristic parameter modeling.

Autor:	Sarkar, Angsuman1 bhatumanik@yahoo.com, De, Swapnadip2, Sarkar, Chandan Kumar3
Zdroj:	International Journal of Numerical Modelling. Jan/Feb2013, Vol. 26 Issue 1, p41-55. 15p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.