Role of cross-slipping in formation of edge dislocations in heteroepitaxial systems GeSi-on-Si(001) and Ge-on-InGaAs/GaAs.

Autor:	Bolkhovityanov, Yu.B.1 (AUTHOR) bolkhov@isp.nsc.ru, Deryabin, A.S.1 (AUTHOR), Gutakovskii, A.K.1 (AUTHOR), Sokolov, L.V.1 (AUTHOR)
Zdroj:	Philosophical Magazine Letters. Jul2011, Vol. 91 Issue 7, p458-464. 7p. 1 Color Photograph, 1 Black and White Photograph, 1 Diagram.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.