Enhancing the Resistive Switching Properties of Transparent HfO 2 -Based Memristor Devices for Reliable Gasistor Applications.

Autor:	Kim, Taegi1 (AUTHOR), Lee, Doowon2 (AUTHOR), Chae, Myoungsu3 (AUTHOR), Kim, Kyeong-Heon4 (AUTHOR), Kim, Hee-Dong1 (AUTHOR) khd0708@sejong.ac.kr
Zdroj:	Sensors (14248220). Oct2024, Vol. 24 Issue 19, p6382. 12p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.