Gas Sensing Properties of Indium–Oxide–Based Field–Effect Transistor: A Review.

Autor:	Liang, Chengyao1,2 (AUTHOR) cyliang_1993@163.com, Cao, Zhongyu3 (AUTHOR) czycr123@126.com, Hao, Jiongyue2 (AUTHOR) zsl18678631330@163.com, Zhao, Shili2 (AUTHOR) yyt_ysu@163.com, Yu, Yuanting2 (AUTHOR) 202208021016@stu.cqu.edu.cn, Dong, Yingchun2 (AUTHOR) 202308021039@stu.cqu.edu.cn, Liu, Hangyu2 (AUTHOR) 20192547@cqu.edu.cn, Huang, Chun2 (AUTHOR) gaoc@cqu.edu.cn, Gao, Chao2 (AUTHOR), Zhou, Yong2 (AUTHOR) zhyf@cqu.edu.cn, He, Yong1,2 (AUTHOR) zhyf@cqu.edu.cn
Zdroj:	Sensors (14248220). Sep2024, Vol. 24 Issue 18, p6150. 26p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.