电子辐照对4H-SiC MOS 材料缺陷的影响.

Autor: 刘 帅1,2 0622478@zju.edu.cn, 熊慧凡1,2, 杨 霞2,3, 杨德仁1,2, 皮孝东1,2 xdpi@zju.edu.cn, 宋立辉1,2 songlihui@zju.edu.cn
Zdroj: Journal of Synthetic Crystals. Sep2024, Vol. 53 Issue 9, p1536-1541. 6p.
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